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寬禁帶半導體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導體材料主要指化合物半導體材料,如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、砷化鋁(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20 世紀信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導體材料一般是指氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化鋁(
《半導體IC制造流程》 一、晶圓處理制程 晶圓處理制程之主要工作為在硅晶圓上制作電路與電子組件(如晶體管、電容體、邏輯閘等),為上述各制程中所需技術(shù)較復(fù)雜且資金投入較多的過程 ,以微處理器(Microprocessor)為例,其所需處理步驟可達數(shù)百道,而其所需加工機臺**且昂貴,動輒數(shù)千萬一臺,其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與 含塵量(Particle)均需控制的無塵室(Clean-Room),雖
芯片的前世今生 莊子有言:“一日之錘日取其半,萬世不竭”。這句話的意思是指一尺的東西今天取其一半,明天取其一半的一半,后天再取其一半的一半的一半,總有一半留下,所以永遠也取不盡,這體現(xiàn)了物質(zhì)是無限可分的思想。魏少軍教授講到,半導體和芯片的發(fā)展,恰好就是按照這樣一半一半的往下縮小,而且縮小的過程到現(xiàn)在為止還沒有停止。 但是,縮小過程當中必須按照某種規(guī)則來進行,也就是要按照規(guī)矩,沒有規(guī)矩,那就不能成方
聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹:FIB(聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號**電子像,此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似,或用強電流離子束對表面原子進行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工。 服務(wù)范圍:工業(yè)和理論材料研究,半導體,數(shù)據(jù)存儲,自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容:1.芯片電路修改
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
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