詞條
詞條說(shuō)明
失效分析的作用 1、失效分析是要找出失效原因,采取有效措施,使同類(lèi)失效事故不再重復(fù)發(fā)生,可避免較大的經(jīng)濟(jì)損失和人員傷亡; 2、促進(jìn)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展 a. 19世紀(jì)工業(yè)革命,蒸汽機(jī)的使用促進(jìn)鐵路運(yùn)輸,但連續(xù)發(fā)生多起因火車(chē)軸斷裂,列車(chē)出軌事故。 b. 大量斷軸分析和試驗(yàn)研究表明:裂紋均從輪座內(nèi)緣尖角處開(kāi)始。認(rèn)識(shí)到:金屬在交變應(yīng)力下,即使應(yīng)力遠(yuǎn)**金屬的抗拉強(qiáng)度,經(jīng)一定循環(huán)積累,也會(huì)發(fā)生斷裂,即“疲勞”
一、板電后圖電前擦花 1、斷口處的銅表面光滑、沒(méi)有被蝕痕跡。 2、OPEN處的基材有或輕或重的被損傷痕跡(發(fā)白)。 3、形狀多為條狀或塊狀。 4、附近的線路可能有滲鍍或線路不良出現(xiàn)。 5、從切片上看,圖電層會(huì)包裹板電層和底銅。 二、銅面附著干膜碎 1、斷口處沙灘位與正常線路一致或相差很小 2、斷口處銅面平整、沒(méi)有發(fā)亮 三、銅面附著膠或類(lèi)膠的抗鍍物 1、斷口處銅面不平整、發(fā)亮;有時(shí)成鋸齒狀 2、通常
聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹:FIB(聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像,此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似,或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍:工業(yè)和理論材料研究,半導(dǎo)體,數(shù)據(jù)存儲(chǔ),自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容:1.芯片電路修改
金相試樣制備及常見(jiàn)問(wèn)題 金相分析是研究材料內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)的重要方法,一般用來(lái)進(jìn)行失效分析(FA)、質(zhì)量控制(QC)、研發(fā)(RD)等。而金相試樣制備的目的是獲得材料內(nèi)部真實(shí)的組織結(jié)構(gòu),需要通過(guò)不同的金相試樣制備方法去完成。 一般來(lái)說(shuō),金相試樣制備的方法有:機(jī)械法(傳統(tǒng)意義上的機(jī)械制備--磨拋)、電解法(電解拋光和浸蝕)、化學(xué)法(化學(xué)浸蝕)、化學(xué)機(jī)械法(化學(xué)作用和機(jī)械作用同時(shí)去除材料)。 金相試樣制備的
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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