詞條
詞條說(shuō)明
芯片開(kāi)封decap簡(jiǎn)介及芯片開(kāi)封在失效分析中應(yīng)用案例分析
半導(dǎo)體元器件失效分析性測(cè)試?2024年07月08日 15:32?北京DECAP:即開(kāi)封,業(yè)內(nèi)也稱(chēng)開(kāi)蓋,開(kāi)帽。是指將完整封裝的IC做局部腐蝕,使得IC可以暴露出來(lái) ,同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損,為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備,方便觀察或做其他測(cè)試。通過(guò)芯片開(kāi)封,我們可以為直觀的觀察到芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu),從而結(jié)合OM,X-RAY等設(shè)備分析判斷樣品的異常點(diǎn)位和失效的可能原因。開(kāi)封方法及注意
芯片行業(yè)的困境 過(guò)去幾十年,在摩爾定律的指導(dǎo)下,芯片中的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡攴环?。晶體管的微縮技術(shù)革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀(jì)60年代**被發(fā)現(xiàn),并一直延續(xù)到2010年代,至此以后,晶體管密度的發(fā)展開(kāi)始放緩。如今,主流芯片包含了數(shù)十億個(gè)晶體管,但如果摩爾定律能夠繼續(xù)按照當(dāng)時(shí)的速度發(fā)展下去,它們的晶體管數(shù)量將是現(xiàn)在的15倍。 每一代晶體管密度的增加,被稱(chēng)為“節(jié)點(diǎn)”。每個(gè)節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于晶體
如何確認(rèn)顯微鏡的放大倍率 很多實(shí)驗(yàn)室都在使用顯微鏡,但對(duì)顯微鏡的相關(guān)專(zhuān)業(yè)知識(shí)并不了解,只是知道怎么去操作,但對(duì)于一些基本常識(shí)可能都不怎么清楚,那么今天我們就來(lái)講講有關(guān)顯微鏡的放大倍率是如何計(jì)算的? 也許有人會(huì)說(shuō)這不是很簡(jiǎn)單的問(wèn)題嘛,但實(shí)際還是有點(diǎn)小復(fù)雜的。 首先我們來(lái)舉個(gè)例子來(lái)說(shuō):當(dāng)體視顯微鏡目鏡的倍率為10倍,變倍體變倍范圍是:0.7X-4.5X,附加物鏡為:2X。那它的光學(xué)放大倍率為:10乘0
電子元器件失效分析 1、簡(jiǎn)介 電子元器件技術(shù)的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現(xiàn)代電子裝備的基礎(chǔ),元器件可靠性工作的根本任務(wù)是提高元器件的可靠性。因此,必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作,通過(guò)分析確定失效機(jī)理,找出失效原因,反饋給設(shè)計(jì)、制造和使用,共同研究和實(shí)施糾正措施,提高電子元器件的可靠性。 電子元器件失效分析的目的是借助各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)電子元器件的失效現(xiàn)象,分辨其失效模式和失
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線(xiàn)
聚焦離子束顯微鏡FIB線(xiàn)路修改切線(xiàn)連線(xiàn)異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線(xiàn)測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線(xiàn)量測(cè)儀
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