FIB技術(shù)在失效中應(yīng)用

時間：2020-03-23作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：123

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  詞條說明

• 半導(dǎo)體技術(shù)公益課：芯片流片前的物理驗(yàn)證

  半導(dǎo)體技術(shù)公益課 2020年4月18日（周六） 題 目: 芯片流片前的物理驗(yàn)證 簡 介: 1.**部分drc； 2.*二部分lvs； 時 長: 10分鐘 主 講 人: Allen 產(chǎn)品工程師 時 間 : 11:00-11:10 題 目：芯片失效分析方法及流程 簡 介：失效分析方法； 失效分析流程； 失效分析案例； 失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹。 分享時長：45分鐘 主 講人：趙俊紅就職于科委檢測中心，集成電

• 聚焦離子束FIB

  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。 服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲，自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改

• 半導(dǎo)體材料SiC和GaN

  寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（

• 疫情捐助百萬探針臺無償捐贈湖北

  疫情當(dāng)下，中國經(jīng)濟(jì)發(fā)展將受到短暫的影響。儀準(zhǔn)科技心系國家，將愛傳遞，特向受影響較大的湖北省援助**百萬的探針臺。 援助方案分兩部分，總****過100**民幣。 1、免費(fèi)捐贈探針臺產(chǎn)品（5臺）。 A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套 每套配置如下： PW-400：4 inch chuck（探針臺主體） 1 pcs SMZ-168： 20X目鏡 15-100x放大(體式顯微鏡) 1