半導(dǎo)體技術(shù)公益課：芯片流片前的物理驗(yàn)證

時(shí)間：2020-04-18作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：132

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• 詞條

  詞條說明

• 失效分析案例介紹

  一、板電后圖電前擦花 1、斷口處的銅表面光滑、沒有被蝕痕跡。 2、OPEN處的基材有或輕或重的被損傷痕跡（發(fā)白）。 3、形狀多為條狀或塊狀。 ４、附近的線路可能有滲鍍或線路不良出現(xiàn)。 ５、從切片上看，圖電層會(huì)包裹板電層和底銅。 二、銅面附著干膜碎 1、斷口處沙灘位與正常線路一致或相差很小 2、斷口處銅面平整、沒有發(fā)亮 三、銅面附著膠或類膠的抗鍍物 1、斷口處銅面不平整、發(fā)亮；有時(shí)成鋸齒狀 2、通常

• 微量元素含量測試方法

  微量元素含量測試方法 近年來，元素含量測試儀器發(fā)展十分*，常見的測試儀器有原子反射光譜法（AES）、原子吸收光譜法（AAS）、X射線熒光光譜法（XRF）、電感耦合等離子體原子**光譜（ICP-AES）和質(zhì)譜（ICP-MS）等，由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性，如何對待測元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡要介紹。 1.原子**光譜（AES） 原子**光譜

• 雙束FIB設(shè)備介紹（二）

  樣品托 · 標(biāo)準(zhǔn)多功能樣品托，以*特方式直接安裝到樣品臺(tái)上，可容納18個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品托架（φ12mm）、3個(gè)預(yù)傾斜樣品托、 2個(gè)垂直和2個(gè)預(yù)傾斜側(cè)排托架*（38°和90°），樣品安裝 *工具 · 每個(gè)可選的側(cè)排托架可容納6個(gè)S/TEM銅網(wǎng) · 各種晶片和定制化樣品托可按要求提供* 系統(tǒng)控制 · 64位GUI（s 7）、鍵盤、光學(xué)鼠標(biāo) · 可同時(shí)激活多達(dá)4個(gè)視圖，分別顯示不同束圖像和/或信號， 真彩信

• 芯片的前世今生

  莊子有言：“一日之錘日取其半，萬世不竭”。這句話的意思是指一尺的東西今天取其一半，明天取其一半的一半，后天再取其一半的一半的一半，總有一半留下，所以永遠(yuǎn)也取不盡，這體現(xiàn)了物質(zhì)是無限可分的思想。魏少軍教授講到，半導(dǎo)體和芯片的發(fā)展，恰好就是按照這樣一半一半的往下縮小，而且縮小的過程到現(xiàn)在為止還沒有停止。 但是，縮小過程當(dāng)中必須按照某種規(guī)則來進(jìn)行，也就是要按照規(guī)矩，沒有規(guī)矩，那就不能成方圓。這就印證了孟