半導(dǎo)體技術(shù)公益課：芯片流片前的物理驗(yàn)證

時(shí)間：2020-04-18作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：198

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• 詞條

  詞條說明

• 失效分析項(xiàng)目介紹

  作為研發(fā)較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題，好端端的芯片突然異常不能正常工作了，很多時(shí)候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確，芯片失效是一個(gè)非常讓人頭疼的問題，它可能發(fā)生在研發(fā)初期，可能發(fā)生在生產(chǎn)過程中，還有可能發(fā)生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時(shí)候也非常巨大。 作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~，PCB已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的較為重要而關(guān)鍵的部分，其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)

• 超聲波掃描顯微鏡測(cè)試流程

  超聲波掃描顯微鏡測(cè)試流程 超聲波掃描顯微鏡含義： 超聲波掃描顯微鏡，英文名是：Scanning Acoustic Microscope，簡(jiǎn)稱SAM，由于它的主要工作模式是C模式，因此也簡(jiǎn)稱：C-SAM或SAT。 頻率**20KHz的聲波被稱為超聲波。超聲波掃描顯微鏡是理想的無損檢測(cè)方式，廣泛的應(yīng)用在物料檢測(cè)（IQC）、失效分析（FA）、質(zhì)量控制(QC)、質(zhì)量保證及可靠性(QA/REL)、研發(fā)(R&

• 微量元素含量測(cè)試方法

  微量元素含量測(cè)試方法 近年來，元素含量測(cè)試儀器發(fā)展十分*，常見的測(cè)試儀器有原子反射光譜法（AES）、原子吸收光譜法（AAS）、X射線熒光光譜法（XRF）、電感耦合等離子體原子**光譜（ICP-AES）和質(zhì)譜（ICP-MS）等，由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性，如何對(duì)待測(cè)元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測(cè)試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡(jiǎn)要介紹。 1.原子**光譜（AES） 原子**光譜

• FIB/SEM/EDX技術(shù)指標(biāo)

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離