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聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹:FIB(聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像,此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似,或用強(qiáng)電流離子束對表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級表面形貌加工。 服務(wù)范圍:工業(yè)和理論材料研究,半導(dǎo)體,數(shù)據(jù)存儲(chǔ),自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容:1.芯片電路修改
失效分析 趙工 轉(zhuǎn)眼到了2020年的初夏,新新冠狀病毒的影響,讓很多原本的計(jì)劃被打亂被改動(dòng),目前北方市場急需完善的第三方實(shí)驗(yàn)室,專業(yè)的技術(shù),成套的檢測設(shè)備,為滿足用戶檢測多樣化,就近服務(wù)的要求,我中心專門安裝了高精度x-ray檢測設(shè)備,目前X-ray(X光無損檢測)已經(jīng)全面對外服務(wù),機(jī)時(shí)充足。 一、X-ray是什么? X-ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊,在撞擊過程中,因電子突然減
失效分析技術(shù),失效分析實(shí)驗(yàn)室,失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時(shí),通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手,進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時(shí),常用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法,構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖,以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品
一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH,甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識(shí)。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù),是早年日本NEC發(fā)明并申請了專li。它的原理是:給IC加上電壓,使其內(nèi)部有微小電流流過,同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時(shí),對微小電流進(jìn)行監(jiān)測,當(dāng)激光掃到某個(gè)位置,電流發(fā)生較大變化,設(shè)備對這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記,也就是說這個(gè)位置即為
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測試芯片測試設(shè)備
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聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無損檢測空洞分層異物測試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
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