不可思議的芯片技術

時間：2020-04-23

作者：儀準科技（北京）有限公司

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金相試樣制備及常見問題
金相試樣制備及常見問題金相分析是研究材料內(nèi)部組織結構的重要方法，一般用來進行失效分析（FA）、質(zhì)量控制（QC）、研發(fā)（RD）等。而金相試樣制備的目的是獲得材料內(nèi)部真實的組織結構，需要通過不同的金相試樣制備方法去完成。一般來說，金相試樣制備的方法有：機械法（傳統(tǒng)意義上的機械制備--磨拋）、電解法（電解拋光和浸蝕）、化學法（化學浸蝕）、化學機械法（化學作用和機械作用同時去除材料）。金相試樣制備的
集成電路的2020年發(fā)展趨勢
集成電路的2020年發(fā)展趨勢據(jù)了解，2019年由于受世界經(jīng)濟發(fā)展的增速減緩、整機廠商的去庫存化等綜合因素的干擾，**半導體產(chǎn)業(yè)普遍處于下滑態(tài)勢。作為半導體產(chǎn)業(yè)里的關鍵產(chǎn)品之一，集成電路領域的發(fā)展趨勢備受關注。集成電路(integratedcircuit)是一種微型電子器件或部件?？s寫為IC；采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半
芯片的前世今生
莊子有言：“一日之錘日取其半，萬世不竭”。這句話的意思是指一尺的東西今天取其一半，明天取其一半的一半，后天再取其一半的一半的一半，總有一半留下，所以永遠也取不盡，這體現(xiàn)了物質(zhì)是無限可分的思想。魏少軍教授講到，半導體和芯片的發(fā)展，恰好就是按照這樣一半一半的往下縮小，而且縮小的過程到現(xiàn)在為止還沒有停止。但是，縮小過程當中必須按照某種規(guī)則來進行，也就是要按照規(guī)矩，沒有規(guī)矩，那就不能成方圓。這就印證了孟
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離