失效分析技術(shù)總結(jié)

時間：2020-03-24作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：163

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  詞條說明

• 雙束FIB設(shè)備介紹（二）

  樣品托 · 標準多功能樣品托，以*特方式直接安裝到樣品臺上，可容納18個標準樣品托架（φ12mm）、3個預(yù)傾斜樣品托、 2個垂直和2個預(yù)傾斜側(cè)排托架*（38°和90°），樣品安裝 *工具 · 每個可選的側(cè)排托架可容納6個S/TEM銅網(wǎng) · 各種晶片和定制化樣品托可按要求提供* 系統(tǒng)控制 · 64位GUI（s 7）、鍵盤、光學(xué)鼠標 · 可同時激活多達4個視圖，分別顯示不同束圖像和/或信號， 真彩信

• 半導(dǎo)體芯片失效分析

  半導(dǎo)體芯片失效分析 芯片在設(shè)計生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測失效分析實驗室經(jīng)驗，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無損檢查: 檢測內(nèi)容包含： 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X－Ray（X光檢測），屬于無損檢查: X-Ra

• 白話芯片漏電定位方法科普

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• 聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標 一、技術(shù)指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離