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雙束FIB設(shè)備介紹(二)


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  • 半導(dǎo)體技術(shù)公益課

    半導(dǎo)體技術(shù)公益課:有需要線上分享可以安排時間講您擅長的領(lǐng)域,半導(dǎo)體相關(guān)的都歡迎,話題 時長不限 名稱:半導(dǎo)體技術(shù)公益課講師征集 時間:每周五下午5-7點 時長:不限 方式:直播分享 演講者可以準備ppt,發(fā)來題目,框架,時長,個人簡介,協(xié)調(diào)好時間后即可安排。 想做線上分享的,可以聊您擅長的領(lǐng)域,半導(dǎo)體相關(guān)的都歡迎,話題,時長不限 IC失效分析實驗室 北軟檢測智能產(chǎn)品檢測實驗室于2015年底實施運營

  • 芯片漏電分析手段被誤導(dǎo)了很多年

    一提到IC漏電定位大家都認為只有OBIRCH,甚至現(xiàn)在可笑的是認為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識。 OBIRCH其實只是一種技術(shù),是早年日本NEC發(fā)明并申請了專li。它的原理是:給IC加上電壓,使其內(nèi)部有微小電流流過,同時在芯片表面用激光進行掃描。 激光掃描的同時,對微小電流進行監(jiān)測,當激光掃到某個位置,電流發(fā)生較大變化,設(shè)備對這個點進行標記,也就是說這個位置即為

  • 芯片測試前期準備

    失效分析樣品準備: 失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié),無論對于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因為失效分析設(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對外開放的資源,來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時需要準備

  • 半導(dǎo)體材料SiC和GaN

    寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅(Si)元素和鍺(Ge)元素,其奠定了20 世紀電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)、砷化銦(InAs)、砷化鋁(AlAs)及其合金化合物等,其奠定了20 世紀信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氮化鋁(

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