聚焦離子束顯微鏡科普

時間：2020-03-23作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：259

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• 詞條

  詞條說明

• 半導體技術公益課：芯片流片前的物理驗證

  半導體技術公益課 2020年4月18日（周六） 題 目: 芯片流片前的物理驗證 簡 介: 1.**部分drc； 2.*二部分lvs； 時 長: 10分鐘 主 講 人: Allen 產(chǎn)品工程師 時 間 : 11:00-11:10 題 目：芯片失效分析方法及流程 簡 介：失效分析方法； 失效分析流程； 失效分析案例； 失效分析實驗室介紹。 分享時長：45分鐘 主 講人：趙俊紅就職于科委檢測中心，集成電

• 晶柱切片后處理

  《晶柱切片后處理》 硅晶柱長成后，整個晶圓的制作才到了一半，接下必須將晶柱做裁切與檢測，裁切掉頭尾的晶棒將會進行外徑研磨、切片等一連串的處理，最后才能成為一片片**非凡的晶圓，以下將對晶柱的后處理制程做介紹。 切片（Slicing） 長久以來經(jīng)援切片都是采用內徑鋸，其鋸片是一環(huán)狀薄葉片，內徑邊緣鑲有鉆石顆粒，晶棒在切片前預先黏貼一石墨板，不僅有利于切片的夾持，較可以避免在最后切斷階段時鋸片離開晶棒

• x-ray檢測內容

  X射線(X-ray)檢測 X射線(X-ray)檢測儀是在不損壞被檢物品的前提下使用低能量X 光，快速檢測出被檢物。 利用高電壓撞擊靶材產(chǎn)生X射線穿透來檢測電子元器件、半導體封裝產(chǎn)品內部結構構造品質、以及SMT各類型焊點焊接質量等[1] 。 型號:XD7500NT 參考標準:《IPC-A-610E電子組裝件的驗收標準》、《GB/T 17359-1998電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析方法通則》

• 失效分析fib

  失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設計方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時間和周期。 2.Cro