詞條
詞條說(shuō)明
儀準(zhǔn)科技*生產(chǎn)的微光顯微鏡,失效分析設(shè)備,失效分析實(shí)驗(yàn)室建設(shè) 就半導(dǎo)體元器件故障失效分析而言,微光顯微鏡EMMI是一種相當(dāng)有用且效率較高的分析工具。主要偵測(cè)IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會(huì)放出光子(Photon)。 舉例說(shuō)明:在P-N 結(jié)加偏壓,此時(shí)N阱的電子很*擴(kuò)散到P阱,而P的空穴也*擴(kuò)散至N然後與P端的
中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)2019年完成情況
據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)公布:2019年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售收入為7562.3億元,同比增長(zhǎng)15.80%,其中:設(shè)計(jì)業(yè)銷(xiāo)售收入為3063.5億元,同比增長(zhǎng)21.6%,占總值40.5%;晶圓制造業(yè)銷(xiāo)售收入為2149.1億元,同比增長(zhǎng)18.20%,占總值的28.40%;封測(cè)業(yè)銷(xiāo)售收入為2349.7億元,同比增長(zhǎng)7.10%,占總值的31.1%。都**了較好的業(yè)績(jī)。 據(jù)海關(guān)統(tǒng)計(jì),2019年中國(guó)集成電路進(jìn)出
FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計(jì)及加工過(guò)程中的應(yīng)用介紹: 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問(wèn)題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問(wèn)題,可通過(guò)FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問(wèn)題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù),
FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用 隨著半導(dǎo)體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,器件及電路結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜,這對(duì)微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來(lái)越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強(qiáng)大的精細(xì)加工和微觀分析功能,使其廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。 基本原理: FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時(shí)具有聚焦離子束(Focused Ion Beam,F(xiàn)IB)和掃描電子顯微鏡(
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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