IC封裝失效分析實(shí)驗(yàn)室

時(shí)間：2020-04-13作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：157

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• 詞條

  詞條說明

• FIB技術(shù)在失效中應(yīng)用

  FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計(jì)及加工過程中的應(yīng)用介紹： 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，

• 失效分析案例介紹

  一、板電后圖電前擦花 1、斷口處的銅表面光滑、沒有被蝕痕跡。 2、OPEN處的基材有或輕或重的被損傷痕跡（發(fā)白）。 3、形狀多為條狀或塊狀。 ４、附近的線路可能有滲鍍或線路不良出現(xiàn)。 ５、從切片上看，圖電層會(huì)包裹板電層和底銅。 二、銅面附著干膜碎 1、斷口處沙灘位與正常線路一致或相差很小 2、斷口處銅面平整、沒有發(fā)亮 三、銅面附著膠或類膠的抗鍍物 1、斷口處銅面不平整、發(fā)亮；有時(shí)成鋸齒狀 2、通常

• 半導(dǎo)體分析樣品制備

  失效分析樣品準(zhǔn)備： 失效分析 趙工 半導(dǎo)體元器件失效分析可靠性測(cè)試 1月6日 失效分析樣品準(zhǔn)備： 失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié)，無論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備，因此借用外力，使用對(duì)

• 微量元素含量測(cè)試方法

  微量元素含量測(cè)試方法 近年來，元素含量測(cè)試儀器發(fā)展十分*，常見的測(cè)試儀器有原子反射光譜法（AES）、原子吸收光譜法（AAS）、X射線熒光光譜法（XRF）、電感耦合等離子體原子**光譜（ICP-AES）和質(zhì)譜（ICP-MS）等，由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性，如何對(duì)待測(cè)元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測(cè)試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡(jiǎn)要介紹。 1.原子**光譜（AES） 原子**光譜