失效分析FA方法介紹

時(shí)間：2020-04-21作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：200

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 芯片漏電分析手段被誤導(dǎo)了很多年

  一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH，甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識(shí)。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù)，是早年日本NEC發(fā)明并申請(qǐng)了專li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內(nèi)部有微小電流流過(guò)，同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時(shí)，對(duì)微小電流進(jìn)行監(jiān)測(cè)，當(dāng)激光掃到某個(gè)位置，電流發(fā)生較大變化，設(shè)備對(duì)這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記，也就是說(shuō)這個(gè)位置即為

• 微電子失效分析方法總結(jié)

  微電子失效分析方法總結(jié) 失效分析 趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無(wú)損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國(guó) 2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國(guó)Fein 微焦點(diǎn)Xray用途：半導(dǎo)體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)：標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)分

• 芯片失效分析常用方法

  一：X-RAY檢查 1，X-RAY含義： X-RAY射線又稱倫琴射線，一種波長(zhǎng)很短的電磁輻射，由德國(guó)物理學(xué)家倫琴在1895年發(fā)現(xiàn)。一般指電子能量發(fā)生很大變化時(shí)放出的短波輻射，能透過(guò)許多普通光不能透過(guò)的固態(tài)物質(zhì)。利用可靠性分析室里的X-RAY分析儀，可檢查產(chǎn)品的金絲情況和樹(shù)脂體內(nèi)氣孔情況，以及芯片下面導(dǎo)電膠內(nèi)的氣泡，導(dǎo)電膠的分布范圍情況。 2，X-RAY檢查原則 不良情況 原因或責(zé)任者 球脫 組裝

• 微納加工應(yīng)用

  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改