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金相試樣制備及常見問題 金相分析是研究材料內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)的重要方法,一般用來進(jìn)行失效分析(FA)、質(zhì)量控制(QC)、研發(fā)(RD)等。而金相試樣制備的目的是獲得材料內(nèi)部真實(shí)的組織結(jié)構(gòu),需要通過不同的金相試樣制備方法去完成。 一般來說,金相試樣制備的方法有:機(jī)械法(傳統(tǒng)意義上的機(jī)械制備--磨拋)、電解法(電解拋光和浸蝕)、化學(xué)法(化學(xué)浸蝕)、化學(xué)機(jī)械法(化學(xué)作用和機(jī)械作用同時(shí)去除材料)。 金相試樣制備的
主要優(yōu)勢 使用 Sidewinder HT離子鏡筒快速、簡便地制備高質(zhì)量、定位TEM 和原子探針樣品 Thermo Scientific NICol? 電子鏡筒可進(jìn)行**高分辨率成像, 滿足較廣泛類型樣品(包括磁性和不導(dǎo)電材料)的較佳成像需求 各類集成化鏡筒內(nèi)及較靴下探測器,采集優(yōu)質(zhì)、銳利、無荷電圖像,提供較完整的樣品信息 可選AS&V4軟件,精確定位感興趣區(qū)域,獲取優(yōu)質(zhì)、多模態(tài) 內(nèi)部和三維信息 高
[封裝失效分析系列一] IC封裝失效分析實(shí)驗(yàn)室 近年來,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,繼續(xù)減小線寬的投入與其回報(bào)相比變得越來越不劃算。業(yè)界大佬Intel的10nm工藝預(yù)計(jì)將在2017年Q3亮相,這個(gè)時(shí)間點(diǎn)明顯已經(jīng)偏離摩爾定律。高度集成化的芯片,如SoC(systemon chip)的設(shè)計(jì)與流片成本過高,使得近些年SiP(System in Package)逐漸受到熱捧。通過不同種類芯片及封裝顆粒之間的
突發(fā)!北方華創(chuàng)、長江存儲等31家被拉入U(xiǎn)VL清單!
失效分析 趙工?半導(dǎo)體工程師?2022-10-08 10:00?發(fā)表于北京剛剛,芯榜消息:根據(jù)美國聯(lián)邦公報(bào),拜登**宣布了對中國獲得美國半導(dǎo)體技術(shù)的新限制,并增加了旨在阻止中國推動(dòng)發(fā)展自己的芯片產(chǎn)業(yè)和提升該國軍事能力的措施。?據(jù)悉,美國商務(wù)部在其認(rèn)為“未經(jīng)證實(shí)”(UVL)的公司名單中添加了更多名稱,包括31家中國實(shí)體。這意味著美國供應(yīng)商在向這些實(shí)體銷售技術(shù)時(shí)
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