芯片測(cè)試現(xiàn)狀分析

時(shí)間：2020-04-03作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：153

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 半導(dǎo)體技術(shù)公益課：芯片流片前的物理驗(yàn)證

  半導(dǎo)體技術(shù)公益課 2020年4月18日（周六） 題 目: 芯片流片前的物理驗(yàn)證 簡(jiǎn) 介: 1.**部分drc； 2.*二部分lvs； 時(shí) 長(zhǎng): 10分鐘 主 講 人: Allen 產(chǎn)品工程師 時(shí) 間 : 11:00-11:10 題 目：芯片失效分析方法及流程 簡(jiǎn) 介：失效分析方法； 失效分析流程； 失效分析案例； 失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹。 分享時(shí)長(zhǎng)：45分鐘 主 講人：趙俊紅就職于科委檢測(cè)中心，集成電

• 微納加工應(yīng)用

  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改

• 半導(dǎo)體材料SiC和GaN

  寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（

• 探針臺(tái)測(cè)試

  2020年開(kāi)年伊始就收到很多朋友對(duì)手動(dòng)探針臺(tái)使用問(wèn)題的咨詢，在此收集整理供手動(dòng)探針臺(tái)相關(guān)信息供大家參考。 一：手動(dòng)探針臺(tái)用途： 探針臺(tái)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、光電行業(yè)、集成電路以及封裝的測(cè)試。 廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測(cè)量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時(shí)間和器件制造工藝的成本。手動(dòng)探針臺(tái)的主要用途是為半導(dǎo)體芯片的電參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)測(cè)試平臺(tái)，探針臺(tái)可吸附多種規(guī)格芯片，并提供多個(gè)可調(diào)