集成電路的2020年發(fā)展趨勢(shì)

時(shí)間：2020-03-27作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：136

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• IC封裝失效分析實(shí)驗(yàn)室

  [封裝失效分析系列一] IC封裝失效分析實(shí)驗(yàn)室 近年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，繼續(xù)減小線寬的投入與其回報(bào)相比變得越來越不劃算。業(yè)界大佬Intel的10nm工藝預(yù)計(jì)將在2017年Q3亮相，這個(gè)時(shí)間點(diǎn)明顯已經(jīng)偏離摩爾定律。高度集成化的芯片，如SoC(systemon chip)的設(shè)計(jì)與流片成本過高，使得近些年SiP(System in Package)逐漸受到熱捧。通過不同種類芯片及封裝顆粒之間的

• 熱插拔帶來的EOS損壞

  熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設(shè)計(jì)存在問題的話，*帶來EOS破壞。 產(chǎn)品熱插拔的時(shí)候，可能會(huì)帶來瞬時(shí)的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng)，最后燒壞芯片或器件。 某產(chǎn)品試用時(shí)，插拔時(shí)頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過比對(duì)電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進(jìn)行EMMI測(cè)試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點(diǎn)，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判

• 芯片行業(yè)的困境

  芯片行業(yè)的困境 過去幾十年，在摩爾定律的指導(dǎo)下，芯片中的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡攴环?。晶體管的微縮技術(shù)革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀(jì)60年代**被發(fā)現(xiàn)，并一直延續(xù)到2010年代，至此以后，晶體管密度的發(fā)展開始放緩。如今，主流芯片包含了數(shù)十億個(gè)晶體管，但如果摩爾定律能夠繼續(xù)按照當(dāng)時(shí)的速度發(fā)展下去，它們的晶體管數(shù)量將是現(xiàn)在的15倍。 每一代晶體管密度的增加，被稱為“節(jié)點(diǎn)”。每個(gè)節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)于晶體

• 電子元器件失效分析方法經(jīng)驗(yàn)

  失效分析常用方法匯總 芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測(cè)失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無損檢查: 檢測(cè)內(nèi)容包含： 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X－Ray（X光檢測(cè)），屬于無損檢查: X-R