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  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • PCB失效分析方法

    PCB失效分析方法 該方法主要分為三個(gè)部分,將三個(gè)部分的方法融匯貫通,不僅能幫助我們?cè)趯?shí)際案例分析過(guò)程中能夠快速地解決失效問(wèn)題,定位根因;還能根據(jù)我們建立的框架對(duì)新進(jìn)工程師進(jìn)行培訓(xùn),方便各部門借閱學(xué)習(xí)。 下面就分析思路及方法進(jìn)行講解,首先是分析思路; 第一步:失效分析的“五大步驟” 失效分析的過(guò)程主要分為5個(gè)步驟:“①收集不良板信息→②失效現(xiàn)象確認(rèn)→③失效原因分析→④失效根因驗(yàn)證→⑤報(bào)告結(jié)論,改善

  • 聚焦離子束FIB詳細(xì)介紹

    聚焦離子束FIB詳解 1.引言 隨著納米科技的發(fā)展,納米尺度制造業(yè)發(fā)展*,而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的聚焦離子束(FIB)技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察,成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed

  • FIB功能介紹

    FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用 隨著半導(dǎo)體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,器件及電路結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜,這對(duì)微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來(lái)越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強(qiáng)大的精細(xì)加工和微觀分析功能,使其廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。 基本原理: FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時(shí)具有聚焦離子束(Focused Ion Beam,F(xiàn)IB)和掃描電子顯微鏡(

  • 芯片分析方法

    1.OM 顯微鏡觀測(cè),外觀分析 2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) (1)材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒,夾雜物,沉淀物, (2) 內(nèi)部裂紋。(3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 3. X-Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接,開(kāi)路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性

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