詞條
詞條說(shuō)明
PCB失效分析方法 該方法主要分為三個(gè)部分,將三個(gè)部分的方法融匯貫通,不僅能幫助我們?cè)趯?shí)際案例分析過(guò)程中能夠快速地解決失效問(wèn)題,定位根因;還能根據(jù)我們建立的框架對(duì)新進(jìn)工程師進(jìn)行培訓(xùn),方便各部門借閱學(xué)習(xí)。 下面就分析思路及方法進(jìn)行講解,首先是分析思路; 第一步:失效分析的“五大步驟” 失效分析的過(guò)程主要分為5個(gè)步驟:“①收集不良板信息→②失效現(xiàn)象確認(rèn)→③失效原因分析→④失效根因驗(yàn)證→⑤報(bào)告結(jié)論,改善
聚焦離子束FIB詳解 1.引言 隨著納米科技的發(fā)展,納米尺度制造業(yè)發(fā)展*,而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的聚焦離子束(FIB)技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察,成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed
FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用 隨著半導(dǎo)體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,器件及電路結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜,這對(duì)微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來(lái)越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強(qiáng)大的精細(xì)加工和微觀分析功能,使其廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。 基本原理: FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時(shí)具有聚焦離子束(Focused Ion Beam,F(xiàn)IB)和掃描電子顯微鏡(
1.OM 顯微鏡觀測(cè),外觀分析 2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) (1)材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒,夾雜物,沉淀物, (2) 內(nèi)部裂紋。(3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 3. X-Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接,開(kāi)路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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