BGA封裝介紹

時間：2020-06-29作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：98

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• 詞條

  詞條說明

• FIB/SEM/EDX技術(shù)指標(biāo)

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• 半導(dǎo)體芯片失效分析

  半導(dǎo)體芯片失效分析 芯片在設(shè)計生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測失效分析實驗室經(jīng)驗，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無損檢查: 檢測內(nèi)容包含： 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X－Ray（X光檢測），屬于無損檢查: X-Ra

• 常用失效分析方法

  芯片常用分析手段： 1、X-Ray 無損偵測，可用于檢測 IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性 PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接 開路、短路或不正常連接的缺陷 封裝中的錫球完整性 2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡 可對IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕ 晶元面脫層 錫球、晶元或填膠中的裂縫 封裝材料內(nèi)部的氣孔 各種孔洞

• eos失效分析篇

  芯片失效案例分析之EOS** 作為研發(fā)較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題，好端端的芯片突然異常不能正常工作了，很多時候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確，芯片失效是一個非常讓人頭疼的問題，它可能發(fā)生在研發(fā)初期，可能發(fā)生在生產(chǎn)過程中，還有可能發(fā)生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時候也非常巨大。 芯片失效的原因多種多樣，并且它的發(fā)生也無明顯的規(guī)律可循。那么有沒有一些辦法來預(yù)防芯片失效的發(fā)生呢？這里會