常用失效分析方法

時間：2020-04-24

作者：儀準科技（北京）有限公司

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微電子失效分析方法總結(jié)
微電子失效分析方法總結(jié) 失效分析趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)：標準檢測分
FIB技術(shù)在失效中應用
FIB技術(shù)的在芯片設計及加工過程中的應用介紹： 1.IC芯片電路修改用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設計方案。若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數(shù)，
失效分析案例介紹
一、板電后圖電前擦花 1、斷口處的銅表面光滑、沒有被蝕痕跡。 2、OPEN處的基材有或輕或重的被損傷痕跡（發(fā)白）。 3、形狀多為條狀或塊狀。４、附近的線路可能有滲鍍或線路不良出現(xiàn)。５、從切片上看，圖電層會包裹板電層和底銅。二、銅面附著干膜碎 1、斷口處沙灘位與正常線路一致或相差很小 2、斷口處銅面平整、沒有發(fā)亮三、銅面附著膠或類膠的抗鍍物 1、斷口處銅面不平整、發(fā)亮；有時成鋸齒狀 2、通常
微量元素含量測試方法
微量元素含量測試方法近年來，元素含量測試儀器發(fā)展十分*，常見的測試儀器有原子反射光譜法（AES）、原子吸收光譜法（AAS）、X射線熒光光譜法（XRF）、電感耦合等離子體原子**光譜（ICP-AES）和質(zhì)譜（ICP-MS）等，由于各個儀器的技術(shù)方法存在局限性，如何對待測元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測試儀器原理、適用范圍兩個方面作簡要介紹。 1.原子**光譜（AES）原子**光譜