詞條
詞條說明
發(fā)展趨勢1、低功率IGBTIGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域,為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求,摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品,實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。2、U-IGBTU(溝槽結(jié)構(gòu))--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后,可進(jìn)一步縮小元胞尺寸,減少溝道電阻,進(jìn)步電流密度,制造相同
富士IGBT是一種功率半導(dǎo)體器件,具有以下優(yōu)勢特點(diǎn):高功率密度:富士IGBT具有良好的導(dǎo)通和關(guān)斷特性,可以實(shí)現(xiàn)高功率輸出,有助于減小器件尺寸和重量。低導(dǎo)通壓降:富士IGBT具有低導(dǎo)通壓降,使其在開關(guān)狀態(tài)下具有較低的能耗和功率損耗,有助于提高器件和系統(tǒng)的效率??焖匍_關(guān)速度:富士IGBT的開關(guān)速度較快,能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開關(guān)操作,有助于減小開關(guān)損耗和提高系統(tǒng)響應(yīng)速度??煽啃愿撸焊皇縄GBT采用高質(zhì)量的材料
1、系統(tǒng)概述現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT(絕緣柵型場效應(yīng)晶體管)已成為大功率元件的主流,在市場上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步,電力電子裝置對輕薄短小及高性能之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展,尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域,使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下,對大功率元件的發(fā)展技術(shù),持續(xù)在突破。半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外,其
1、IGBT額定電壓的選擇三相380V輸入電壓經(jīng)過整流和濾波后,直流母線電壓的最大值:在開關(guān)工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級,選擇1200V電壓等級的IGBT。2、IGBT額定電流的選擇以30kW變頻器為例,負(fù)載電流約為79A,由于負(fù)載電氣啟動或加速時(shí),電流過載,一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi),承受1.5倍的過流,擇最大負(fù)載電流約為119A ,建議
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 13128707396
手 機(jī): +86 13128707396
微 信: +86 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
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網(wǎng) 址: hchsw.cn.b2b168.com
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