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詞條說明
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
西門子觸摸屏的常見故障包括以下幾種:觸摸屏無法響應(yīng):這是最常見的問題之一,可能是由于觸摸屏的觸摸部件損壞、連接線路松動(dòng)、觸摸屏面板臟污等原因?qū)е碌?。解決方法包括重新插拔連接線路、清潔觸摸屏表面或更換損壞的觸摸部件。觸摸屏顯示異常:觸摸屏可能出現(xiàn)顯示不正常、顏色失真、屏幕閃爍等問題。這可能是由于顯示屏驅(qū)動(dòng)電路、顯示屏本身或觸摸屏連接線路故障引起的。解決方法通常是檢查連接線路、更換故障的電子元件或整塊
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一
本公司是一家專業(yè)回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT的科技公司。一、元件:工廠在加工時(shí)沒改變原材料分子成分的產(chǎn)品可稱為元件,元件屬于不需要能源的器件。它包括:電阻、電容、電感。(又稱為被動(dòng) 元件Passive Components)元件分為:1、電路類元件:二極管,電阻器等等2、連接類元件:連接器,插座,連接電纜,印刷電路板(PCB)二、器件:工廠在生產(chǎn)加工時(shí)改變了原材料分子結(jié)構(gòu)
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 13128707396
手 機(jī): +86 13128707396
微 信: +86 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
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