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IGBT短路試驗:首先明確一點,IGBT的短路和過流區(qū)別!IGBT短路分為一類短路和二類短路一類短路指直通雙橋壁的另一個IGBT,讓另一個IGBT導通,回路中雜散電感很小,nH的電感二類短路指回路中雜散電感很大,uH的電感,屬于過流!短路電感很小,電流上升很快,危害性很大,過流時,電流上升相對慢!當采用霍爾傳感器進行保護時,因為霍爾傳感器和濾波電路的延遲在ms量級,對于一類短路1us電流就能上升到
1)柵電壓IGBT工作時,必須有正向柵電壓,常用的柵驅動電壓值為15~187,最高用到20V, 而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關系,在設計IGBT驅動電路時, 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設計合適驅動參數(shù),保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也越小。2)Miller效應為了降低Miller效應的影響,在IGBT柵
解決西門子觸摸屏顯示異常故障的步驟如下:檢查電源供應:確保觸摸屏的電源供應正常。檢查電源線路和插頭是否連接良好,電源電壓是否穩(wěn)定。如果電源供應有問題,修復電源線路或更換電源模塊。檢查觸摸屏連接線路:確保觸摸屏的連接線路接觸良好,沒有松動或損壞。檢查連接線路的穩(wěn)固性,必要時更換損壞的線路或接頭。清潔觸摸屏表面:觸摸屏表面的污垢可能導致觸摸操作無效。使用柔軟的、干凈的布料輕輕擦拭觸摸屏表面,確保沒有污
方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
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手 機: +86 13128707396
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