詞條
詞條說明
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
電力電子變頻器是將交流電源轉(zhuǎn)換為可調(diào)頻率和可調(diào)幅度的交流電源的裝置。使用富士IGBT作為電力電子變頻器的主要功率開關(guān)器件具有以下作用:高效能轉(zhuǎn)換:富士IGBT具有低導(dǎo)通壓降和低開關(guān)損耗的特性,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的轉(zhuǎn)換,從而提高電力電子變頻器的效率。這有助于減少能源消耗和發(fā)熱,并降低系統(tǒng)運行成本。高頻操作:電力電子變頻器通常需要在高頻范圍進行操作,而富士IGBT具有快速的開關(guān)速度和較高的工作頻率,可以滿
1、電磁閥類;2、磁性開關(guān)類;3、節(jié)流閥類;4、浮動接頭類;5、緩沖器類;6、氣缸類;7、真空發(fā)生器類;8、壓力開關(guān)類;9、調(diào)壓閥類;10、手動閥類;11、其它類。
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