詞條
詞條說(shuō)明
方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低
回收英飛凌IGBT主要是用來(lái)做能源轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)模谛履茉窜?chē),智能電網(wǎng),航空航天和通信方面有廣泛的應(yīng)用。IGBT全稱(chēng)叫做:絕緣柵雙極型晶體管,是一種在新能源車(chē)上應(yīng)用極其廣泛的半導(dǎo)體。什么是半導(dǎo)體?金屬導(dǎo)電性能好,稱(chēng)為導(dǎo)體,塑料,陶瓷,木頭導(dǎo)電性能不好,稱(chēng)為絕緣體。半導(dǎo)體是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體中間。而IGBT是一種由控制電路來(lái)控制,是否導(dǎo)電的半導(dǎo)體。比如控制電路指示為通,那么IGBT就是導(dǎo)體,電流
要正確使用西門(mén)子觸摸屏,可以按照以下步驟進(jìn)行:熟悉觸摸屏界面:先了解觸摸屏的界面布局和操作方式。熟悉主界面、菜單、按鈕、輸入框等元素的功能和位置,掌握界面導(dǎo)航的方法。啟動(dòng)觸摸屏:按下觸摸屏上的電源按鈕,等待觸摸屏啟動(dòng)。啟動(dòng)完成后,進(jìn)入主界面。導(dǎo)航操作:使用手指或特制的觸摸筆,輕觸觸摸屏上的菜單和按鈕,選擇需要的操作。通過(guò)滑動(dòng)手指或觸摸筆,實(shí)現(xiàn)頁(yè)面的滾動(dòng)或切換。參數(shù)設(shè)置:根據(jù)具體的應(yīng)用需求,進(jìn)入相應(yīng)
1、IGBT額定電壓的選擇三相380V輸入電壓經(jīng)過(guò)整流和濾波后,直流母線電壓的最大值:在開(kāi)關(guān)工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級(jí),選擇1200V電壓等級(jí)的IGBT。2、IGBT額定電流的選擇以30kW變頻器為例,負(fù)載電流約為79A,由于負(fù)載電氣啟動(dòng)或加速時(shí),電流過(guò)載,一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi),承受1.5倍的過(guò)流,擇最大負(fù)載電流約為119A ,建議
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