詞條
詞條說(shuō)明
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一
什么是IGBT呢?IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的縮寫(xiě),即絕緣柵雙極型晶體管,是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命具代表性的產(chǎn)品,是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域能源變換和傳輸?shù)暮诵脑骷?。?jiǎn)單來(lái)說(shuō),IGBT可以理解為“非通即斷”的開(kāi)關(guān),它可以將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電,主要用于變頻逆變和其他逆變電路,被稱(chēng)為是電力電子裝置的“CPU”。本公司產(chǎn)品收購(gòu)原則
回收英飛凌IGBT主要是用來(lái)做能源轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)模谛履茉窜?chē),智能電網(wǎng),航空航天和通信方面有廣泛的應(yīng)用。IGBT全稱(chēng)叫做:絕緣柵雙極型晶體管,是一種在新能源車(chē)上應(yīng)用極其廣泛的半導(dǎo)體。什么是半導(dǎo)體?金屬導(dǎo)電性能好,稱(chēng)為導(dǎo)體,塑料,陶瓷,木頭導(dǎo)電性能不好,稱(chēng)為絕緣體。半導(dǎo)體是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體中間。而IGBT是一種由控制電路來(lái)控制,是否導(dǎo)電的半導(dǎo)體。比如控制電路指示為通,那么IGBT就是導(dǎo)體,電流
1、安全工作區(qū)在安全上面,主要指的就是電的特性,除了常規(guī)的變壓電流以外,還有RBSOA(反向偏置安全工作區(qū))和短路時(shí)候的保護(hù)。這個(gè)是開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)候的波形,這個(gè)是相關(guān)的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)候的定義。我們做設(shè)計(jì)時(shí)結(jié)溫的要求,比如長(zhǎng)期工作必須保證溫度在安全結(jié)溫之內(nèi),做到這個(gè)保證的前提是需要把這個(gè)模塊相關(guān)的應(yīng)用參數(shù)提供出來(lái)。這樣結(jié)合這個(gè)參數(shù)以后,結(jié)合選擇的IGBT的芯片,還有封裝和電流,來(lái)計(jì)算產(chǎn)品的功耗和結(jié)溫,是
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