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詞條說明
IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。當集電極被施加一
要滿足正常使用西門子觸摸屏的條件,可以考慮以下幾點:適宜的工作環(huán)境條件:觸摸屏應該在溫度、濕度和氣候等環(huán)境條件適宜的場所使用。一般來說,工作溫度應在指定范圍內,濕度應適當控制,免受過高或過低的濕度影響,以避免電子元件和觸摸屏的損壞。平穩(wěn)且穩(wěn)定的支撐結構:觸摸屏需要穩(wěn)固地安裝在支撐結構上,以避免觸摸屏在操作過程中產生搖晃或解體的情況。確保支撐結構的平整度、穩(wěn)定性和承重能力符合觸摸屏的要求。電源供應穩(wěn)
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