詞條
詞條說(shuō)明
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一
西門(mén)子觸摸屏廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,適用于以下場(chǎng)合:自動(dòng)生產(chǎn)線和工業(yè)機(jī)械控制:西門(mén)子觸摸屏可以用于生產(chǎn)線和工業(yè)機(jī)械的控制和監(jiān)控,實(shí)現(xiàn)對(duì)生產(chǎn)過(guò)程的可視化操作和管理。工業(yè)監(jiān)控系統(tǒng):可用于監(jiān)控和管理工廠的各種參數(shù)和狀態(tài),如溫度、濕度、壓力、流量等。機(jī)械設(shè)備操作界面:用于操作和控制機(jī)械設(shè)備,如機(jī)床、鉗工機(jī)械、輸送設(shè)備等。自動(dòng)化儀表控制系統(tǒng):可用于監(jiān)測(cè)和調(diào)節(jié)儀表參數(shù),如液位、流量、壓力等。能源管理系統(tǒng):用
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