詞條
詞條說(shuō)明
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1、一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所,應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5℃~35℃,常濕的規(guī)定為45%~75%。在冬天特別干燥的地區(qū),需要加濕機(jī)加濕。2、盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合。3、在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象,因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方。4、IGBT模塊在未投入生產(chǎn)時(shí)不要裸露放置,防止端子氧化情況的發(fā)生。上述就是為你介紹的有關(guān)IG
解決西門子觸摸屏顯示異常故障的步驟如下:檢查電源供應(yīng):確保觸摸屏的電源供應(yīng)正常。檢查電源線路和插頭是否連接良好,電源電壓是否穩(wěn)定。如果電源供應(yīng)有問(wèn)題,修復(fù)電源線路或更換電源模塊。檢查觸摸屏連接線路:確保觸摸屏的連接線路接觸良好,沒(méi)有松動(dòng)或損壞。檢查連接線路的穩(wěn)固性,必要時(shí)更換損壞的線路或接頭。清潔觸摸屏表面:觸摸屏表面的污垢可能導(dǎo)致觸摸操作無(wú)效。使用柔軟的、干凈的布料輕輕擦拭觸摸屏表面,確保沒(méi)有污
方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。較低
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