半導(dǎo)體技術(shù)公益課

時(shí)間：2020-04-15作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：134

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• 詞條

  詞條說明

• IC封裝失效分析實(shí)驗(yàn)室

  [封裝失效分析系列一] IC封裝失效分析實(shí)驗(yàn)室 近年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，繼續(xù)減小線寬的投入與其回報(bào)相比變得越來越不劃算。業(yè)界大佬Intel的10nm工藝預(yù)計(jì)將在2017年Q3亮相，這個(gè)時(shí)間點(diǎn)明顯已經(jīng)偏離摩爾定律。高度集成化的芯片，如SoC(systemon chip)的設(shè)計(jì)與流片成本過高，使得近些年SiP(System in Package)逐漸受到熱捧。通過不同種類芯片及封裝顆粒之間的

• 失效分析實(shí)驗(yàn)室選擇

  失效分析技術(shù)，失效分析實(shí)驗(yàn)室，失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過程。此過程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時(shí)，通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手，進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時(shí)，常用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法，構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品

• 失效分析FA常用工具介紹

  失效分析FA常用工具介紹；透射電鏡（TEM）；TEM一般被使用來分析樣品形貌（morholog；與TEM需要激發(fā)二次電子或者從樣品表面**的電子；然后用這種電子束轟擊樣品，有一部分電子能穿透樣品；對于晶體材料，樣品會引起入射電子束的衍射，會產(chǎn)生；對于TEM分析來說*為關(guān)鍵的一步就是制樣；集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機(jī)械；俄歇電子（AgerAna 失效分析常用工具介紹 透射電鏡（TE

• 失效案例分析EOS靜電擊穿

  作為研發(fā)較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題，好端端的芯片突然異常不能正常工作了，很多時(shí)候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確，芯片失效是一個(gè)非常讓人頭疼的問題，它可能發(fā)生在研發(fā)初期，可能發(fā)生在生產(chǎn)過程中，還有可能發(fā)生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時(shí)候也非常巨大。 芯片失效的原因多種多樣，并且它的發(fā)生也無明顯的規(guī)律可循。那么有沒有一些辦法來預(yù)防芯片失效的發(fā)生呢？這里會通過案例來思考下可以通過哪些方