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時(shí)間：2020-04-13作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：167

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• 詞條

  詞條說明

• 微納加工應(yīng)用

  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。 服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改

• 手動(dòng)探針臺(tái)廠家介紹

  儀準(zhǔn)科技有限公司是一家專業(yè)的半導(dǎo)體分析設(shè)備的整合商，產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體、LCD (TFT)、LED、太陽能等高科技領(lǐng)域。 近年來，金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)已經(jīng)成為切換電源的主要功率元件，從場效應(yīng)晶體管 (FET)、雙極性結(jié)式晶體管(BJT)、MOSFET、到絕緣閘較雙較晶體管(IGBT)，現(xiàn)在出現(xiàn)了氮化鎵(GaN)，可讓切換電源的體積大幅縮小。 例如，納微半導(dǎo)體(Navitas)推出

• 白話芯片漏電定位方法科普

  白話芯片漏電定位方法科普 原創(chuàng) 儀準(zhǔn)科技 王福成 轉(zhuǎn)載請寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來，在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)誤區(qū)，認(rèn)為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)（laser scan Microscope). 目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采

• 半導(dǎo)體分析樣品制備

  失效分析樣品準(zhǔn)備： 失效分析 趙工 半導(dǎo)體元器件失效分析可靠性測試 1月6日 失效分析樣品準(zhǔn)備： 失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié)，無論對于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備，因此借用外力，使用對