顯微鏡測(cè)試倍數(shù)計(jì)算

時(shí)間：2020-03-20作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：193

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• 詞條

  詞條說明

• x-ray測(cè)試

  X光無損檢測(cè) 祝大家新年快樂，2020年注定是不平凡的一年，在艱難中開始，感恩奮戰(zhàn)在抗疫*的白衣天使，感恩提供**的各級(jí)**，感恩社會(huì)各界的愛心人士，目前我們對(duì)社會(huì)較好的回報(bào)就是做好本職工作，隔離好自己和身邊的人，多做事，少走動(dòng)。 新新冠狀病毒的到來，讓很多原本的計(jì)劃被打亂被改動(dòng)，目前北方市場(chǎng)急需完善的第三方實(shí)驗(yàn)室，專業(yè)的技術(shù)，成套的檢測(cè)設(shè)備，為滿足用戶檢測(cè)多樣化，就近服務(wù)的要求，我中心專門安裝

• 微納加工應(yīng)用

  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改

• 電子元器件失效分析方法經(jīng)驗(yàn)

  失效分析常用方法匯總 芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測(cè)失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無損檢查: 檢測(cè)內(nèi)容包含： 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X－Ray（X光檢測(cè)），屬于無損檢查: X-R

• 失效分析FA常用工具介紹

  失效分析FA常用工具介紹；透射電鏡（TEM）；TEM一般被使用來分析樣品形貌（morholog；與TEM需要激發(fā)二次電子或者從樣品表面**的電子；然后用這種電子束轟擊樣品，有一部分電子能穿透樣品；對(duì)于晶體材料，樣品會(huì)引起入射電子束的衍射，會(huì)產(chǎn)生；對(duì)于TEM分析來說*為關(guān)鍵的一步就是制樣；集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機(jī)械；俄歇電子（AgerAna 失效分析常用工具介紹 透射電鏡（TE