詞條
詞條說(shuō)明
援助方案分兩部分,總****過(guò)100**民幣。 1、免費(fèi)捐贈(zèng)探針臺(tái)產(chǎn)品(5臺(tái)) A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套 每套配置如下: PW-400:4 inch chuck(探針臺(tái)主體) 1 pcs SMZ-168: 20X目鏡 15-100x放大(體式顯微鏡) 1 pcs ADV-5M: 500萬(wàn)像素,操作軟件(CCD) 1 pcs MP-01: 80TPI,仰角機(jī)構(gòu),磁性底座(探
失效分析樣品準(zhǔn)備: 失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié),無(wú)論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 常見(jiàn)的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備,因此借用外力,使用對(duì)外開(kāi)放的資源,來(lái)完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測(cè)試時(shí)需要準(zhǔn)備
聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹:FIB(聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像,此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似,或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍:工業(yè)和理論材料研究,半導(dǎo)體,數(shù)據(jù)存儲(chǔ),自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容:1.芯片電路修改
不可思議的芯片技術(shù) 《論語(yǔ)·學(xué)而》當(dāng)中有一句話(huà)叫“如切如磋、如琢如磨”。宋代的大學(xué)者朱熹有這樣的注語(yǔ):“嚴(yán)治骨角者,即切之而復(fù)蹉之;治玉石者,既琢之而復(fù)磨之,治之已精,而益求其精業(yè)”。這句話(huà)的意思也就是精益求精,這個(gè)詞用在集成電路或者芯片上是較貼切不過(guò)的。 下圖是2007年**半導(dǎo)體技術(shù)路線(xiàn)圖。圖中縱軸指的是可以沿著摩爾定律一直不斷的微縮下去,到今天為止,工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)來(lái)到了7nm,很快5nm也
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線(xiàn)
聚焦離子束顯微鏡FIB線(xiàn)路修改切線(xiàn)連線(xiàn)異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線(xiàn)測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線(xiàn)量測(cè)儀
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