失效分析樣品準備

時間：2020-04-26

作者：儀準科技（北京）有限公司

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詞條說明
雙束FIB設備介紹（二）
樣品托 · 標準多功能樣品托，以*特方式直接安裝到樣品臺上，可容納18個標準樣品托架（φ12mm）、3個預傾斜樣品托、 2個垂直和2個預傾斜側排托架*（38°和90°），樣品安裝 *工具 · 每個可選的側排托架可容納6個S/TEM銅網(wǎng) · 各種晶片和定制化樣品托可按要求提供* 系統(tǒng)控制 · 64位GUI（s 7）、鍵盤、光學鼠標 · 可同時激活多達4個視圖，分別顯示不同束圖像和/或信號，真彩信
芯片失效分析
一般來說，集成電路在研制、生產(chǎn)和使用過程中失效不可避免，隨著人們對產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性要求的不斷提高，失效分析工作也顯得越來越重要，通過芯片失效分析，可以幫助集成電路設計人員找到設計上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或設計與操作中的不當?shù)葐栴}。失效分析的意義主要表現(xiàn)？具體來說，失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個方面：失效分析是確定芯片失效機理的必要手段。失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息。失效分
晶柱成長制程
《晶柱成長制程》硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。長晶主要程序︰融化（MeltDown）此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來
芯片開封方法：激光開封
激光開封機：半導體業(yè)的銅制程芯片越來越成為發(fā)展主流，這給失效分析中器件開封帶來越來越高的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的酸開封已經(jīng)沒有辦法完成銅制程器件的開封，良率一般**30%。此時儀準科技推出的激光開封機，給分析產(chǎn)業(yè)帶來了新的技術。產(chǎn)品特點： 1、對銅制程器件有很好的開封效果，良率**90%。 2、對環(huán)境及人體污染傷害交小，符合環(huán)保理念。 3、開封效率是普通酸開封機臺的3~5倍。 4、電腦控制開封形狀、位置、