PCB失效分析方法流程

時間：2020-04-08作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：201

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• 詞條

  詞條說明

• 失效分析簡介

  電子元器件失效分析 1、簡介 電子元器件技術的快速發(fā)展和可靠性的提高奠定了現代電子裝備的基礎，元器件可靠性工作的根本任務是提高元器件的可靠性。因此，必須重視和加快發(fā)展元器件的可靠性分析工作，通過分析確定失效機理，找出失效原因，反饋給設計、制造和使用，共同研究和實施糾正措施，提高電子元器件的可靠性。 電子元器件失效分析的目的是借助各種測試分析技術和分析程序確認電子元器件的失效現象，分辨其失效模式和失

• 微納加工應用

  聚焦離子束，Focused Ion beam 服務介紹：FIB（聚焦離子束，Focused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產生的離子束經過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強電流離子束對表面原子進行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。 服務范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導體，數據存儲，自然資源等領域 服務內容：1.芯片電路修改

• 熱插拔帶來的EOS損壞

  熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產品，如果熱插拔設計存在問題的話，*帶來EOS破壞。 產品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產生大電流的latchup效應，最后燒壞芯片或器件。 某產品試用時，插拔時頻頻出現損壞，經過比對電性分析，發(fā)現電性明顯異常，進行EMMI測試，發(fā)現芯片表面異常亮點，在顯微鏡下，發(fā)現鋁線燒損，判

• 半導體材料SiC和GaN

  寬禁帶半導體材料SiC和GaN 的研究現狀 **代半導體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀電子工業(yè)的基礎。*二代半導體材料主要指化合物半導體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀信息光電產業(yè)的基礎。*三代寬禁帶半導體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（