失效分析原理

時(shí)間：2020-03-24作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：162

儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司專(zhuān)注于手動(dòng)探針臺(tái),probe,station等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 失效分析FA常用工具介紹

  失效分析FA常用工具介紹；透射電鏡（TEM）；TEM一般被使用來(lái)分析樣品形貌（morholog；與TEM需要激發(fā)二次電子或者從樣品表面**的電子；然后用這種電子束轟擊樣品，有一部分電子能穿透樣品；對(duì)于晶體材料，樣品會(huì)引起入射電子束的衍射，會(huì)產(chǎn)生；對(duì)于TEM分析來(lái)說(shuō)*為關(guān)鍵的一步就是制樣；集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機(jī)械；俄歇電子（AgerAna 失效分析常用工具介紹 透射電鏡（TE

• 半導(dǎo)體分析樣品制備

  失效分析樣品準(zhǔn)備： 失效分析 趙工 半導(dǎo)體元器件失效分析可靠性測(cè)試 1月6日 失效分析樣品準(zhǔn)備： 失效分析是芯片測(cè)試重要環(huán)節(jié)，無(wú)論對(duì)于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。 常見(jiàn)的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因?yàn)槭Х治鲈O(shè)備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備，因此借用外力，使用對(duì)

• 晶柱成長(zhǎng)制程

  《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱，以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來(lái)

• 手動(dòng)探針臺(tái)廠家介紹

  儀準(zhǔn)科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體分析設(shè)備的整合商，產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體、LCD (TFT)、LED、太陽(yáng)能等高科技領(lǐng)域。 近年來(lái)，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)已經(jīng)成為切換電源的主要功率元件，從場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)、雙極性結(jié)式晶體管(BJT)、MOSFET、到絕緣閘較雙較晶體管(IGBT)，現(xiàn)在出現(xiàn)了氮化鎵(GaN)，可讓切換電源的體積大幅縮小。 例如，納微半導(dǎo)體(Navitas)推出