詞條
詞條說明
掃描電鏡SEM你了解嗎?掃描電子顯微鏡SEM應(yīng)用范圍: 1、材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察 2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3、各種薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 掃描電子顯微鏡樣品制備比透射電鏡樣品制備簡單,不需要包埋和切片。 樣品要求: 樣品必須是固體;滿足無毒,無放射性,無污染,無磁,無水,成分穩(wěn)定要求。 制備原則: 表面受到污染的試樣,要在不破壞試樣表面結(jié)構(gòu)的
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
芯片行業(yè)的困境 過去幾十年,在摩爾定律的指導(dǎo)下,芯片中的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番。晶體管的微縮技術(shù)革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀(jì)60年代**被發(fā)現(xiàn),并一直延續(xù)到2010年代,至此以后,晶體管密度的發(fā)展開始放緩。如今,主流芯片包含了數(shù)十億個晶體管,但如果摩爾定律能夠繼續(xù)按照當(dāng)時的速度發(fā)展下去,它們的晶體管數(shù)量將是現(xiàn)在的15倍。 每一代晶體管密度的增加,被稱為“節(jié)點”。每個節(jié)點對應(yīng)于晶體
半導(dǎo)體進入2納米時代 推動半導(dǎo)體業(yè)進步有兩個輪子,一個是尺寸縮小,另一個是硅片直徑增大,顯然尺寸縮小是主力,因為硅片直徑增大涉及整條生產(chǎn)線設(shè)備的更換。 現(xiàn)階段除了尺寸繼續(xù)縮小之外,利用成熟制程的特色工藝及*三代半導(dǎo)體等正風(fēng)生水起,將開辟定律的另一片新的天地。 臺積電正討論在美國開建2納米工廠事項,目前的態(tài)勢分析這個決定不好下,因為市場與投資(可能約500億美元)兩個都是關(guān)鍵因素。 據(jù)閩臺地區(qū)《經(jīng)濟
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
手 機: 13488683602
微 信: 13488683602
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
手 機: 13488683602
電 話: 01082825511-869
地 址: 北京海淀中關(guān)村東升科技園
郵 編:
網(wǎng) 址: advbj123.cn.b2b168.com