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單晶硅片切割技術(shù)發(fā)展趨勢分析硅片薄片化不僅有效降低了硅材料的消耗,而且體現(xiàn)了硅片的柔韌性,給電池和組件端帶來了更多的可能性。硅片薄片化不僅受切片設(shè)備、金剛線、工藝等的限制,還受到電池和組件技術(shù)的需求變化。例如,異質(zhì)結(jié)電池(HIT)的對稱結(jié)構(gòu)。低溫或無應(yīng)力工藝可以完全適應(yīng)較薄的硅片,其效率不受厚度的影響。即使減少到100μm左右,短路電流ISC的損失也可以通過開路電壓VOC得到補(bǔ)償。切割薄片需要對切
介紹半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗。微量污染也會導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì),包括**物和無機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài),有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。**污染包括光刻膠、**溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機(jī)污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等,嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo);堿金屬如鈉等,引起嚴(yán)重漏電;顆粒污染包括硅渣、塵埃、細(xì)菌
激光具有單色性好、方向性強(qiáng)、亮度高等特點(diǎn)?,F(xiàn)已發(fā)現(xiàn)的激光工作物質(zhì)有幾千種,波長范圍從軟X射線到遠(yuǎn)紅外。?激光技術(shù)的**是激光器,激光器的種類很多,可按工作物質(zhì)、激勵方式、運(yùn)轉(zhuǎn)方式、工作波長等不同方法分類。根據(jù)不同的使用要求,采取一些專門的技術(shù)提高輸出激光的光束質(zhì)量和單項(xiàng)技術(shù)指標(biāo),比較廣泛應(yīng)用的單元技術(shù)有共振腔設(shè)計(jì)與選模、倍頻、調(diào)諧、Q開關(guān)、鎖模、穩(wěn)頻和放大技術(shù)等。為了滿足軍事應(yīng)用的需要,
橡膠墊切割機(jī)用以各種各樣塑膠、硅膠墊片,圈形圓筒狀產(chǎn)品的迅速切割成型。切割運(yùn)作精度0.01mm,校準(zhǔn)精度0.01mm,產(chǎn)品偏差±0.03mm,切割表層光滑度可達(dá),可較大節(jié)約多模光纖腔廢邊原材料。 應(yīng)用十分普遍,性能突顯,這兒介紹一下橡膠墊切割機(jī)的性能參數(shù)。 性能特性: 1.將初始單腔?;蛞荒6嗲恢谱龅臋M截面為長方形的產(chǎn)品(如密封圈)根據(jù)改模貝,將產(chǎn)品制成一模一腔,成型為圓筒狀的產(chǎn)品,運(yùn)用本產(chǎn)品定距
公司名: 北京華諾恒宇光能科技有限公司
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