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詞條說明
硅片切割難點(diǎn):1、雜質(zhì)線痕:由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起,在切片過程中無法完全去除,導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆?;蛏皾{結(jié)塊引起。切割過程中,SIC顆?!翱ā痹阡摼€與硅片之間,無法溢出,造成線痕。 表現(xiàn)形式:包括整條線痕和半截線痕,內(nèi)凹,線痕發(fā)亮,較其它線痕較加窄細(xì)。 3、密布線痕(密集型線痕):由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題,造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。
面臨挑戰(zhàn)切割線直徑較細(xì)的切割線意味著較低的截口損失,也就是說同一個硅塊可以生產(chǎn)更多的硅片。然而,切割線較細(xì)較容易斷裂。荷載每次切割的總面積,等于硅片面積X每次切割的硅塊數(shù)量X每個硅塊所切割成的硅片數(shù)量?。切割速度切割臺通過切割線切割網(wǎng)的速度,這在很大程度上取決于切割線運(yùn)動速度,馬達(dá)功率和切割線拉力。易于維護(hù)性線鋸在切割之間需要更換切割線和研磨漿,維護(hù)的速度越快,總體的生產(chǎn)力就越高。生產(chǎn)商
介紹半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗。微量污染也會導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì),包括**物和無機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài),有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。**污染包括光刻膠、**溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機(jī)污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等,嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo);堿金屬如鈉等,引起嚴(yán)重漏電;顆粒污染包括硅渣、塵埃、細(xì)菌
亞克力切割打孔:1、手提鉆打孔(氣動,電動都可以);便攜方便,沒有太大的環(huán)境限制。但也有不少缺點(diǎn):手提鉆鉆不了太大的孔,鉆不了異形的孔,然后鉆出來的孔不標(biāo)準(zhǔn),然后手提鉆鉆孔也需要一定技巧,否則容易孔蹦口,或者亞克力板破掉。2、使用臺鉆鉆孔;這個方法鉆出來的孔相對標(biāo)準(zhǔn)。缺點(diǎn)在,同樣鉆不了太大的孔,鉆不了異形的孔,然后對孔的位置有一定局限,這需要根據(jù)臺鉆的臂長,當(dāng)孔在板的位置大于臂長,就鉆不了,對環(huán)境
公司名: 北京華諾恒宇光能科技有限公司
聯(lián)系人: 張經(jīng)理
電 話: 010-83687269
手 機(jī): 18920259803
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