可控硅的作用介紹及檢測(cè)方法

時(shí)間：2020-06-27作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：649

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  詞條說(shuō)明

• 【可控硅模塊】可控硅模塊怎么檢測(cè)好壞

  可控硅模塊怎么檢測(cè)好壞1、單向可控硅的檢測(cè)。萬(wàn)用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑表筆的引腳為控制較G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽(yáng)極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。用短線瞬間短接陽(yáng)極A和控制較G，此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽(yáng)極A接黑表筆，陰極K接紅

• 【可控硅模塊】可控硅模塊分類

  可控硅模塊分類可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘

• 工欲善其事，必先利其器 -- 新版SemiSel V5 功率半導(dǎo)體選型工具

  效率較高、設(shè)計(jì)較緊湊、功率密度較高，同時(shí)確保盡快上市、滿足目標(biāo)成本?……以上列舉的要求不過(guò)是電力電子開(kāi)發(fā)人員所面臨的眾多挑戰(zhàn)的一部分。開(kāi)發(fā)人員需要在變化多樣的產(chǎn)品市場(chǎng)中選擇合適的器件，SemiSel應(yīng)運(yùn)而生。這一款高效的選型工具可以幫助產(chǎn)品開(kāi)發(fā)人員在選型時(shí)做出正確的選擇。SemiSel迄今仍是同類工具中較全面的免費(fèi)工具，可以用于研究不同運(yùn)行條件下的各種電力電子電路。在用戶友好性、功能復(fù)雜

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡(jiǎn)介

  IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙較型晶體管，是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上