可控硅調(diào)速原理

時間：2020-05-12

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
可控硅模塊
特性。通過用萬用表檢測其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測出二極管是否損壞。1．極性的判別將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個電極，測出一個結果后，對調(diào)兩表筆，再測出一個結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負極。2．單負導電性能
可控硅調(diào)壓模塊的幾種應用電路
可控硅調(diào)壓模塊的幾種應用電路可控硅是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在單片機控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動器件，由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題，控制電路簡單，因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強電網(wǎng)絡中，其觸發(fā)電路的抗干擾問題很重要，通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號加載到可控硅的控制較。為減小驅(qū)動功率和可控硅觸發(fā)時產(chǎn)生的干擾
進口晶閘管的工作原理
在中頻爐中整流側關斷時間采用KP-60微秒以內(nèi)，逆變側關短時間采用KK-30微秒以內(nèi)這也是KP管與KK管的主要區(qū)別進口晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件： 1. 晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門較承受和種電壓，晶閘管都處于關短狀態(tài)。 2. 晶閘管承受正向陽極電壓時，僅在
【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性
IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區(qū)，則正反