詞條
詞條說(shuō)明
IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu), N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源較(即發(fā)射較E)。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵較(即門(mén)較G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成),稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector),它是IGBT特有
(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級(jí)的線路末端,作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。?(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過(guò)瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機(jī)床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分?jǐn)嚯娏鬏^大,可用于電壓等級(jí)500V及其以下、電流等級(jí)200A以下的電路中,作短路保護(hù)。?(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器
**名稱:平板式可控硅的制作方法技術(shù)領(lǐng)域:本實(shí)用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術(shù):可控硅又稱晶間管,晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長(zhǎng)等諸多優(yōu)點(diǎn),發(fā)展迅猛。在世紀(jì)應(yīng)用中,大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅,其特點(diǎn)是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結(jié)構(gòu)形式,雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱,但因?yàn)樘沾晒に囈姿?、雜質(zhì)難控制等特點(diǎn),其加工
可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí),BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí),如果從控制較G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào),BG2便有基流ib2流過(guò),經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基較相連,所以ib1=ic2。此時(shí),電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集
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