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IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高
二極管簡介二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件?。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時,二極管導(dǎo)通。 當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時,二極管截止。 因此,二極管的導(dǎo)通和截止,則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開?。二極管是較早誕生的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用非常廣泛。特別是在各種電子電路中,利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接,構(gòu)成不同功能的電
在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時間采用KP-60微秒以內(nèi),逆變側(cè)關(guān)短時間采用KK-30微秒以內(nèi)這也是KP管與KK管的主要區(qū)別進口晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件: 1. 晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門較承受和種電壓,晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。 2. 晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在
熔斷器又稱為保險絲,是用于保護電路的安全設(shè)備。它們安裝于各種供電設(shè)和負載之間,電流過高時便會觸發(fā)熔斷器工作(俗稱“燒斷”),把負載從電源中斷開,減低過流造成設(shè)備損壞甚至引起火災(zāi)的風(fēng)險。燒斷了的保險絲必須棄置并替換,這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復(fù)位的。不過保險絲價格便宜,而且容易替換。新的保險絲應(yīng)該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險絲提供的安全機制使得它們成為各種應(yīng)用的的**助
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