詞條
詞條說明
焊機的工況是間歇性的。即晶閘管工作時結(jié)溫升高,停止工作時結(jié)溫降至一定值。再次工作,結(jié)溫在此值的基礎(chǔ)上升高。這里應(yīng)該使用晶閘管設(shè)計實例1中提到的瞬態(tài)熱阻的概念。在這種情況下,熱平衡條件由安裝的散熱器和晶閘管的瞬態(tài)熱阻之和決定。計算公式見圖1。圖1在幾種常見載條件下等效結(jié)溫的計算公式(一)舉例說明。例1:某焊機采用六相半波帶平衡電抗整流線。滿負荷工作時,導(dǎo)角120°。每個晶閘管的平均電流為66.有效電
可控硅簡介可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動器件,實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級1200V,電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點,可以達到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點,新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計方法,在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33%。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊,分別使用兩種驅(qū)動對
在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時間采用KP-60微秒以內(nèi),逆變側(cè)關(guān)短時間采用KK-30微秒以內(nèi)這也是KP管與KK管的主要區(qū)別進口晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件: 1. 晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門較承受和種電壓,晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。 2. 晶閘管承受正向陽極電壓時,僅在
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