【德國(guó)西門康可控硅】可控硅分類

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：199

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 晶閘管的種類、特點(diǎn)及用途

  晶閘管由硅單晶材料制成PN三端組件具有單向?qū)ㄐ?、電壓和電流控制、小?qū)動(dòng)（毫安級(jí)）控制大功率負(fù)載。由于其特點(diǎn)，常用于可控整流、逆變器、無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)、交流壓力調(diào)節(jié)等方面。除了普通的晶閘管外，由于不同場(chǎng)合的使用要求，還產(chǎn)生了各種類型的晶閘管。普通晶閘管1.關(guān)閉晶閘管 KG普通晶閘管控制極限G加上普通晶閘管導(dǎo)通的正向觸發(fā)信號(hào)，控制較G為了關(guān)閉普通晶閘管，必須失去陽(yáng)極A與陰極K正電壓為零或負(fù)電壓。只要控制較

• 英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法

  英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法 ：測(cè)試方式：用萬(wàn)用表只能測(cè)量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測(cè)量出來(lái)，但是，若IGBT是好的，它無(wú)法肯定是好的。IGBT損壞標(biāo)準(zhǔn)：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負(fù)表筆；其它類同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導(dǎo)通狀態(tài)，電壓為0.34V左右。若想完整測(cè)試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1

• 晶閘管工作原理

  1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡(jiǎn)稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦?而且還具有比硅整流元件較為可貴的可控性,它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。晶閘管的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)較快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統(tǒng)

• 【可控硅模塊】分類

  可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor?module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、