詞條
詞條說(shuō)明
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極K、控制較G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有陽(yáng)極A1(T1),*二陽(yáng)極A2(T2)、控制較G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間加有正向電壓,同時(shí)控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽(yáng)極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽(yáng)極A和陰
全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國(guó)vishay旋轉(zhuǎn)二極管
全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國(guó)vishay旋轉(zhuǎn)二極管昆山新東佳電子主要銷售品牌包括:英飛凌、歐派克(Infineon)、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、西碼、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、英達(dá)、三肯、三洋、APT、ST ABB、CDE等國(guó)外**公司生產(chǎn)的IGBT、可控硅、晶閘管、GTR、IPM、PIM、快恢復(fù)二極管、整流橋、電解電容、驅(qū)動(dòng)電路、M
二極管主要分類點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小,不能通過(guò)較大的正向電流和承受較高的反向電壓,但它的高頻性能好,適宜在高頻檢波電路和開(kāi)關(guān)電路中使用?。面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大,可以通過(guò)較大的電流,也能承受較高的反向電壓,適宜在整流電路中使用?。平面型二極管平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開(kāi)關(guān)管使用時(shí)PN結(jié)面積小,用于大功率整流時(shí)PN結(jié)面積較大&n
IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí),漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū),則正反
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