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時(shí)間：2020-08-18作者：深圳市寶安區(qū)誠(chéng)芯源電子商行瀏覽：27

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 一文讀懂IGBT模塊特點(diǎn)及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

  IGBT的工作原理IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)

• 什么條件下才可以使用IGBT

  IGBT可以在許多條件下使用，但以下幾個(gè)條件是使用IGBT的重要考慮因素：高電壓和高電流：IGBT適用于高電壓（數(shù)千伏范圍）和高電流（幾百安培以上）的應(yīng)用。它們可以承受較高的電壓和電流，并提供可靠的功率開關(guān)能力。高頻開關(guān)：IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率的開關(guān)操作，因此適用于需要頻繁切換的應(yīng)用。高頻開關(guān)可以實(shí)現(xiàn)高效能轉(zhuǎn)換和緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)?？焖匍_關(guān)速度：選擇IGBT時(shí)需要考慮所需的開關(guān)速度。如果應(yīng)用需要快速的

• 回收三菱IGBT公司

  IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一

• 什么是IGBT呢？

  什么是IGBT呢？IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命具代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域能源變換和傳輸?shù)暮诵脑骷?。?jiǎn)單來(lái)說(shuō)，IGBT可以理解為“非通即斷”的開關(guān)，它可以將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電，主要用于變頻逆變和其他逆變電路，被稱為是電力電子裝置的“CPU”。本公司產(chǎn)品收購(gòu)原則