HVA 真空閥門 11000 用在 OLED 鍍膜機(jī)

時(shí)間：2023-05-19作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：112

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  詞條說明

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽(yáng)能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過

• HVA 真空閥門應(yīng)用于E-Beam鍍膜機(jī)

  某?Sputtering + E-Beam PVD?鍍膜機(jī)系統(tǒng)采用?HVA?真空閥門?11000, HVA?真空閥門安裝在分子泵口便于泵的檢修,同時(shí)外系統(tǒng)停機(jī)時(shí)不破壞系統(tǒng)真空,?只要對(duì)泵內(nèi)部進(jìn)行破真空即可.HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格:??閥門材質(zhì):&nb

• KRI 離子源用于UVC人機(jī)共存紫外濾光片鍍膜

  ? ?? ?紫外濾光片是一種光學(xué)元件, 通過使用分散在玻璃材料表面的光學(xué)薄膜控制入射光通過膜層后不同波長(zhǎng)光的透反比. 222nm是紫外不可避免的一個(gè)波段, 因?yàn)槠渖矬w透過率低, 被譽(yù)為對(duì)人體的紫外線.222nm遠(yuǎn)紫外產(chǎn)品一定程度上解決了傳統(tǒng)紫外線不能直接照射人體的痛點(diǎn)問題, 兼顧了功能性和性, 實(shí)現(xiàn)了人機(jī)友好共存, 有效減少和滅殺身體表面多達(dá)99.9%的細(xì)

• KRi 大面積射頻離子源應(yīng)用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)

  上海伯東美國(guó)?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機(jī), 刻蝕均勻性（1 σ）達(dá)到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 導(dǎo)體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機(jī)的部件,