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美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用
上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), lo
模塊式檢漏儀應(yīng)用于氫能行業(yè)真空箱檢漏系統(tǒng)
模塊式檢漏儀應(yīng)用于氫能行業(yè)真空箱檢漏系統(tǒng)在燃料電池中, 氫氣發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)以產(chǎn)生電力并為汽車提供動力. 燃料電池發(fā)電機(jī), 儲氣罐和配電管線需要密封, 防止發(fā)生可能影響性能和安全性的泄漏. 為滿足大批量生產(chǎn)需求, 通常使用自動化真空箱檢漏系統(tǒng). 上海伯東德國 Pfeiffer?檢漏模塊 ASI 35?作為自動氦檢漏系統(tǒng)的**部件, 提供可靠, 可重復(fù)的泄露檢測, 滿足氫能行業(yè)真空
上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用
半導(dǎo)體材料(semiconductor material)是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件、光學(xué)儀器、工藝品和耐火材料的原料,是科學(xué)研究的重要材料。?本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料SiO2中的預(yù)清洗及刻
氦質(zhì)譜檢漏儀高溫真空燒結(jié)爐氣密性泄露檢測
氦質(zhì)譜檢漏儀高溫真空燒結(jié)爐氣密性泄露檢測某客戶生產(chǎn)汽車過濾網(wǎng), 因高溫真空燒結(jié)爐氣密性不佳, 導(dǎo)致生產(chǎn)出的過濾網(wǎng)材料出現(xiàn)氧化質(zhì)量問題, 經(jīng)過上海伯東推薦, 選用氦質(zhì)譜檢漏儀?ASM 340W 對真空燒結(jié)爐進(jìn)行檢漏, 真空模式下, 漏率 5X10-10?mar l/s. 經(jīng)過檢漏后的真空爐, 生產(chǎn)出的過濾網(wǎng)材料無氧化, 達(dá)到客戶工藝要求.高溫真空燒結(jié)爐氦質(zhì)譜檢漏法:金屬 (粉末)
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機(jī): 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號36號樓7樓702室
郵 編:
網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
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