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氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏,滿足第三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)
氦質(zhì)譜檢漏儀?CVD 設(shè)備檢漏, 滿足*三代半導(dǎo)體芯片量產(chǎn)上海伯東某客戶是一家以**化合物半導(dǎo)體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, **產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導(dǎo)體芯片. 芯片在生產(chǎn)過程中使用 CVD 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設(shè)備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設(shè)備檢漏要
美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用
上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), lo
硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過
HVA 真空閥門 11000 用在 OLED 鍍膜機(jī)
國內(nèi)某?OLED?鍍膜機(jī)廠家配置伯東美國?HVA?真空閥門?11000?系列,尺寸以?4”, 6”, 8”閥門口徑為主的標(biāo)準(zhǔn)不銹鋼氣動(dòng)高真空閘閥,?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格:??下圖是某?OLED?鍍膜機(jī)廠家配置上海伯東美
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機(jī): 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號36號樓7樓702室
郵 編:
網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
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