CMOS圖像傳感器，路在何方？

時(shí)間：2022-12-07作者：深圳海木芯科技有限公司瀏覽：262

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 小課堂之CMOS芯片檢測(cè)

  眾所周知，隨著手機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展，在過(guò)去幾年中，智能手機(jī)上功能和技術(shù)增長(zhǎng)較快的是手機(jī)攝影功能，尤其是似乎像參與了手機(jī)攝影比賽一般的國(guó)產(chǎn)手機(jī)，一直高掛在DXO榜單上。映射到手機(jī)上表現(xiàn)為攝像頭的數(shù)量不斷增加，像素不斷加高，這點(diǎn)讓CMOS制造商口袋飽飽。例如，由于CMOS芯片的巨大銷(xiāo)售量，索尼**進(jìn)入了世界前15大半導(dǎo)體市場(chǎng)，當(dāng)然，這背后的國(guó)產(chǎn)機(jī)功勞功不可沒(méi)。CMOS是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的縮寫(xiě)。它是指

• 中國(guó)攝像頭CMOS需求潛力旺盛

  中國(guó)攝像頭CMOS需求潛力旺盛CCD和CMOS在制造上的主要區(qū)別是CCD是集bai成在半導(dǎo)體單晶材料上du，而CMOS是集成zhi在被稱(chēng)做金屬氧化物的半導(dǎo)體材料dao上，工作原理沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別。CCD只有少數(shù)幾個(gè)廠商例如索尼、松下等掌握這種技術(shù)。而且CCD制造工藝較復(fù)雜，采用CCD的攝像頭價(jià)格都會(huì)相對(duì)比較貴。事實(shí)上經(jīng)過(guò)技術(shù)改造，目前CCD和CMOS的實(shí)際效果的差距已經(jīng)減小了不少。而且CMOS的制造

• MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系

  1 MEMS 比 CMOS 的復(fù)雜之處MEMS 與 CMOS的根本區(qū)別在于：MEMS 是帶活動(dòng)部件的三維器件，CMOS 是二維器件。因此，雖然許多刻蝕和沉積工藝相似，但某些工藝是 MEMS *有的，例如失效機(jī)理。舉個(gè)例子，由于 CMOS 器件沒(méi)有活動(dòng)部件，因此不需要釋放工藝。正因?yàn)槿绱?，?dāng)活動(dòng)部件“粘”在表面上，導(dǎo)致設(shè)備故障時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生靜摩擦，CMOS 沒(méi)有這種問(wèn)題。CMOS 器件是在硅材料上逐層

• CCD 與CMOS 圖像傳感器區(qū)別在哪里？

  1、 成像過(guò)程 CCD 與CMOS 圖像傳感器光電轉(zhuǎn)換的原理相同，他們較主要的差別在于信號(hào)的讀出過(guò)程不同；由于CCD僅有一個(gè)（或少數(shù)幾個(gè)）輸出節(jié)點(diǎn)統(tǒng)一讀出，其信號(hào)輸出的一致性非常好；而CMOS 芯片中，每個(gè)像素都有各自的信號(hào)放大器，各自進(jìn)行電荷-電壓的轉(zhuǎn)換，其信號(hào)輸出的一致性較差。但是CCD 為了讀出整幅圖像信號(hào)，要求輸出放大器的信號(hào)帶寬較寬，而在CMOS 芯片中，每個(gè)像元中的放大器的帶寬要求較低