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詞條說明
MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關(guān)系
1 MEMS 比 CMOS 的復(fù)雜之處MEMS 與 CMOS的根本區(qū)別在于:MEMS 是帶活動部件的三維器件,CMOS 是二維器件。因此,雖然許多刻蝕和沉積工藝相似,但某些工藝是 MEMS *有的,例如失效機理。舉個例子,由于 CMOS 器件沒有活動部件,因此不需要釋放工藝。正因為如此,當活動部件“粘”在表面上,導致設(shè)備故障時,就會產(chǎn)生靜摩擦,CMOS 沒有這種問題。CMOS 器件是在硅材料上逐層
常規(guī)的CMOS結(jié)構(gòu)中,電源與地之間存在寄生的PNPN即SCR結(jié)構(gòu)。當SCR被觸發(fā)時,電源到地之間存在低阻通道,引起較大電流,破壞電路工作甚至燒毀電路,這就是閂鎖效應(yīng) (Latch-up)。為避免閂鎖效應(yīng),早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技術(shù)制作CMOS電路,即在藍寶石絕緣襯底上外延硅,之后制作器件,這就有效的避免MOS管的源、漏區(qū)和襯底之間形成PN結(jié)。但是,藍寶石價格昂
1、 成像過程 CCD 與CMOS 圖像傳感器光電轉(zhuǎn)換的原理相同,他們較主要的差別在于信號的讀出過程不同;由于CCD僅有一個(或少數(shù)幾個)輸出節(jié)點統(tǒng)一讀出,其信號輸出的一致性非常好;而CMOS 芯片中,每個像素都有各自的信號放大器,各自進行電荷-電壓的轉(zhuǎn)換,其信號輸出的一致性較差。但是CCD 為了讀出整幅圖像信號,要求輸出放大器的信號帶寬較寬,而在CMOS 芯片中,每個像元中的放大器的帶寬要求較低
CMOS圖像傳感器制造的工藝問題CMOS圖像傳感器采用8英寸和12英寸晶圓代工廠的成熟工藝制程,用于手機、汽車、消費電子產(chǎn)品、工業(yè)和醫(yī)療系統(tǒng)、安防攝像頭。配置雙攝像頭和多攝像頭的智能手機已是司空見慣,每個攝像頭均需要集成一顆CMOS圖像傳感器將光轉(zhuǎn)換為電信號以創(chuàng)建圖像。CMOS圖像傳感器外觀示意圖智能手機搭載的CMOS圖像傳感器數(shù)量還將增加,為攝像頭賦予高分辨率和豐富的功能。例如,三星較新款5G智
公司名: 深圳海木芯科技有限公司
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